OTSUKA大冢-分光器FE-5000|塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司

<p id="v57m1"></p>

<pre id="v57m1"><ruby id="v57m1"></ruby></pre>

<tr id="v57m1"></tr>

搜索

熱門搜索：

代理日本品牌：OTSUKA大塚電子（薄膜測厚儀、相位差膜設備等）、USHIO牛尾點光源、CCS檢查光源、Aitec艾泰克、REVOX萊寶克斯、ONOSOKKI小野測器、YAMATO雅馬拓、KOSAKA小坂臺階儀、SEN特殊光源、TSUBOSAKA壺坂電機、NEWKON新光、TOKISANGYO東機產業、tokyokeiso東京計裝、leimac雷馬克、MIKASA米卡薩勻膠機、COSMO科斯莫、SAKURAI櫻井無塵紙、TOE東京光電子、EYE巖崎UV燈管、SANKO山高、HOYA豪雅光源、日本IMV愛睦威地震儀、HOKUYO北陽電機、SAKAGUCHI坂口電熱、ThreeBond三鍵膠水等.

產品中心

所在位置: 首頁> 產品目錄> OTSUKA大冢電子> 膜厚儀>

產品詳情

查看大圖

產品名稱：OTSUKA大冢-分光器FE-5000
產品型號：　FE-5000
產品廠商：OTSUKA大塚電子
產品價格：0
折扣價格：0
產品文檔：

你添加了1件商品查看購物車

簡單介紹：

　FE-5000 OTSUKA大冢-分光器除了能夠高精度的薄膜解析的分光中，通過實現測量角度的自動可變機構，也對應于所有種類的薄膜。除以往的旋轉檢光子法之外，通過設置相位差版的自動脫穿機構，提高了測定精度。OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000

詳情介紹：

FE-5000

OTSUKA大冢-分光器

除能夠進行高精度薄膜解析的分光光導儀外，通過安裝測定角度的自動可變機構，也適用于所有種類的薄膜.。除傳統的旋轉光子法外，還設置了相位差版的自動解吸機構，提高了測量精度.

OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000

特長。
在紫外可見(250到800 nm)波長范圍內進行光導參數測量。
納米計量器等級的多層薄膜的膜厚分析是可能的。
能夠通過400ch以上的多通道分光法快速測定光導頻譜。
反射角可變測量可實現更詳細的薄膜分析。
通過光學常數的數據庫化以及**登錄功能的追加，提高操作性。
通過層膜擬合解析的光學常數測定，可以進行膜厚·膜質管理。

測量項目。
光導參數(tanψ、cosΔ)測量。
光學常數(n：折射率，k：衰退系數)分析。
膜厚的解析。

用途。
半導體晶圓。
柵氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻膠的光學常數(波長分散)。
化合物半導體。
AlxGa(1-x)As多層膜，非晶硅。
FPD。
取向膜。
等離子體顯示器的ITO，MgO等。
各種新素材。
DLC(Diamond Like Carbon)，超導用薄膜，磁頭薄膜。
光學薄膜。
TiO2、SiO2、多層膜、防反射膜、反射膜。
光刻領域。
g射線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)等各波長的n，k評價

仕　様

型式	FE-5000S	FE-5000
測定サンプル	反射測定サンプル
サンプルサイズ	100x100mm	200x200mm
測定方式	回転検光子法^*1
測定膜厚範囲(nd)	0.1nm～
入射（反射）角度範囲	45～90°	45～90°
入射（反射）角度駆動方式	自動サインバー駆動方式
入射スポット徑^*2	約φ2.0	約φ1.2sup^*3
tanψ測定正確さ	±0.01以下
cosΔ測定正確さ	±0.01以下
膜厚の繰り返し再現性	0.01%以下^*4
測定波長範囲^*5	300～800nm	250～800nm
分光検出器	ポリクロメータ（PDA、CCD）
測定用光源	高安定キセノンランプ^*6
ステージ駆動方式	手動	手動/自動
ローダ対応	不可	可
寸法、重量	650（W)×400（D)×560（H）mm 約50kg	1300（W)×900（D)×1750（H）mm 約350kg^*7
ソフトウェア
解析	*小二乗薄膜解析（屈折率モデル関數、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析）

*1　偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2　短軸?角度により異なります。
*3　微小スポット対応（オプション）
*4　VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5　この波長範囲內で選択可能です。
*6　測定波長により光源が異なります。
*7　自動ステージ選択時の値です。

原　理

試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が獨立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。

分光エリプソメータ原理

tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長依存スペクトルが測定されます。

FE-5000光學系図

產品留言

標題

聯系人

聯系電話

內容

驗證碼

點擊換一張

注：1.可以使用快捷鍵Alt+S或Ctrl+Enter發送信息!
2.如有必要,請您留下您的詳細聯系方式!

蘇公網安備 32050502000409號

久久久久精品国产五月四虎|亚洲精品国产专区91在线|亚洲欧洲精品专线|欧美最猛性开放|欧美日产高清欧美一区

<p id="v57m1"></p>

<pre id="v57m1"><ruby id="v57m1"></ruby></pre>

<tr id="v57m1"></tr>