DNK科研|塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司

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描畫圖形裝置日本DNK蘇州銷售MX-1205

利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
描畫圖形裝置日本DNK蘇州銷售MX-1201E

利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
描畫圖形裝置日本DNK蘇州銷售MX-1201

利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
近接曝光裝置日本DNK蘇州銷售MA-6131ML

主要特長直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
近接曝光裝置日本DNK蘇州銷售MA-6801ML

主要特長直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
近接曝光裝置日本DNK蘇州銷售MA-6701ML

主要特長直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。(選購項) *大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過獨自的光學系統實現了均勻的一次性曝光。能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
近接曝光裝置MA-5111ML 日本DNK蘇州銷售

主要特長能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙。可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
近接曝光裝置MA-5701ML 日本DNK蘇州銷售

主要特長能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙。可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
近接曝光裝置MA-5501ML 日本DNK蘇州銷售

主要特長能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙。可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(選購項) 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
DA-1000日本 DNK 光刻機蘇州銷售

非常適用于實驗?研發之用途。緊湊型設計(600×600mm)，可在桌面上安裝使用。搭載UV LED爆光燈房標準（有效曝光范圍φ4″）。接觸式曝光模式（可支持其他的曝光模式，為選購項）。完全手動操作，價格公道合理。
日本DNK科研曝光機光刻機圓晶

主要特長除近接曝光外，還可對應接觸曝光(軟接觸和硬接觸) 可對應幅度為500mm以上的大型膠片。采用獨自的光學系統,可選擇單面曝光或雙面曝光。還能進行一燈式雙面曝光。裝載有自動對位功能。通過特殊照明實現透明材料的對位。除Roll to Roll外可設計枚葉式搬送等機構,根據客戶的需要構成裝置。可選擇基板臺溫度控制及掩膜冷卻規格等。(選購項)
日本DNK科研曝光機MEMS用光刻機

主要特長采用獨自的鏡面?鏡頭光學系統,實現**均勻的照射。配備有可設定非接觸?面內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控制厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。
日本DNK科研曝光機MX-1205光刻機

產品信息實驗?研究用曝光裝置簡練設計的手動式整面單次曝光裝置。主要特長對應玻璃、Wafer、膠片等基材的實驗研究用手動整面單次曝光機。也適合小批量生產。可選擇接觸曝光(軟接觸、硬接觸)和近接曝光。對應*大尺寸為500mm×500mm的基板。根據用途和基板尺寸,配置有*佳組合的光學系統。其中包括:超高壓水銀燈(500W?1kW?2kW?3.5kW)、各種光學鏡、特殊鏡頭、聚光鏡等
日本DNK科研曝光機MX-1201E光刻機

主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
日本DNK科研曝光機MX-1201光刻機

主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
日本DNK科研曝光機MA-5301ML光刻機

主要特長搭載本公司開創的鏡面光學系統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實現了照射面內的均勻性以及高照度。采用本公司開創的同軸對位方式和高速圖像處理技術, 從而實現了高精度對位。還支持IR方式和背面方式。通過本公司開創的光學式間隙傳感器，可在非接觸狀態下高速、精的設定掩膜和基板間的近接間隙。搭載有掩膜更換機。*多可自動更換20張掩膜。 *多可搭載3臺片倉（Load port）。

蘇公網安備 32050502000409號

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