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產品詳情
簡單介紹：
主要特長
采用獨自的鏡面?鏡頭光學系統,實現**均勻的照射。
配備有可設定非接觸?面內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統。
采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控制厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。
詳情介紹：
光刻機介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
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?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規格也可對應
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規格
MUM系列
掩膜尺寸
Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸
Max Φ8″(Wafer)
光源
超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量
本體尺寸
W2120 x D1305 x H1850 mm
本體重量
640kg
| MUM系列 | ||
|---|---|---|
| 掩膜尺寸 | Max 9″ x 9″ x t3.0 mm | |
| 基板尺寸 | Max Φ8″(Wafer) | |
| 光源 | 超高壓水銀燈：500W or 1kW | |
| 外觀尺寸及重量 | 本體尺寸 | W2120 x D1305 x H1850 mm |
| 本體重量 | 640kg | |
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