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        產品中心
        產品詳情
        • 產品名稱:日本DNK科研曝光機MA-4000光刻機

        • 產品型號: MA-4000
        • 產品廠商:DNK 科研
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        簡單介紹:
        主要特長 采用獨自的平行調整機構,能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。 利用獨自的高速圖像處理技術,實現高精度的對位。 利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。 利用獨自的接觸壓力精密控制機構,能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。 通過Wafer的背面真空吸著方式,實現高速度和高精度以及穩定的自動搬送
        詳情介紹:

        光刻機介紹

        曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ~ ?6″ 

        光源 超高壓水銀燈 :500W or 1kW

        曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

        光源 超高壓水銀燈 :2kW or 3.5kW

        LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2~4″或者?4~6″

        光源 超高壓汞燈:500W 或 1kW

        ?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃, 對齊精度自動對齊:+/- 1 μm(
        峰值搜索)

        ?300mm對應曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈:3.5kW  ?200mm規格也可對應

        マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
        マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135

        マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50

        主要規格

        MA-4000
        Wafer尺寸 ?2~4″ ?4~6″
        掩膜尺寸 □5″ □7″
        光源 超高壓水銀燈:500W or 1kW
        外觀尺寸及重量 本體尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm
        本體重量 1120kg
        選購項 生產管理系統(D-Net)、背面對位、○□基板兼用

        ※基板尺寸和水銀燈瓦數及特殊規格可商洽


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